| #112年,#鐵路人員考試,#佐級考試,#電子工程,#國家安全情報人員五等考試,#電子組,#電子學大意, | |||
NPN 雙極性接面電晶體，α= 0.96，在主動區操作，下列何者錯誤？ |
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A |
β= 24 |
B |
電流比值 IB/IE = 25 |
C |
VCE > 0 |
D |
電子流方向由射極到集極 |
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A |
VC = 4.8 V，VB = 3.2 V，VE = 1.6 V |
B |
VC = 3.0 V，VB = 3.5 V，VE = 5.2 V |
C |
VC = 3.8 V，VB = 5.5 V，VE = 3.6 V |
D |
VC = 5.3 V，VB = 3.4 V，VE = 4.8 V |
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P 通道加強型金氧半場效電晶體（MOSFET）的閘-源極電壓（VGS）在下列何種情況才能形成通道？ （VT為臨界電壓） |
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A |
VGS>VT>0 |
B |
VT>VGS>0 |
C |
0>VT>VGS |
D |
0>VGS>VT |
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下列有關「絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）」之特性敘述何者錯誤？ |
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A |
具有雙極性接面電晶體（BJT）的輸出特性 |
B |
與金氧半場效電晶體（MOSFET）相同，為電壓控制電流源元件 |
C |
其三個端點的名稱分別為閘極、集極、射極 |
D |
相較於雙極性接面電晶體（BJT）而言，其切換速度較慢 |
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當增強型 N 通道 MOSFET 的汲極和源極間的通道呈線性電阻特性，下列何者錯誤？ |
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A |
VGS值大於臨界電壓值 VTH |
B |
VGD值大於臨界電壓值 VTH |
C |
通道載子濃度受 VGS值影響 |
D |
汲極和源極間等效電阻值 RDS和閘極電壓值 VGS成正比 |
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一低通濾波器，若時間常數很大時，此濾波器可作為下列何種應用？ |
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A |
微分器 |
B |
積分器 |
C |
高通濾波器 |
D |
帶通濾波器 |
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A |
2.5 V |
B |
3 V |
C |
3.5 V |
D |
4 V |
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中間抽頭式全波整流器有幾個二極體？ |
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A |
1 個 |
B |
2 個 |
C |
3 個 |
D |
4 個 |
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有關 PN 接面二極體，下列敘述何者正確？ |
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A |
順向偏壓時，空乏區寬度變小 |
B |
逆向偏壓時，PN 接面不會有電流存在 |
C |
空乏區中沒有電場的存在 |
D |
逆向偏壓時，空乏區寬度變小 |
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A |
3.1 A |
B |
2.4 A |
C |
1.7 A |
D |
1.52 A |
