| #111鐵路特考,#佐級,#佐級電子工程,#電子學大意, | |||
A |
T < 0.9 ms |
B |
0.9 ms < T < 1.5 ms |
C |
1.5 ms < T < 17 ms |
D |
T > 17 ms |
| #111鐵路特考,#佐級,#佐級電子工程,#電子學大意, | |||
二極體的電流可以指數模型ID=ISexp(VD/VT)來表示，其中IS為飽和電流，在室溫之下VT=0.025 V。若電壓VD=0.7 V 時電流ID=1 mA ，試求二極體的小信號增量電阻（incremental resistance）。 |
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A |
25 Ω |
B |
50 Ω |
C |
250 Ω |
D |
700 Ω |
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對於 n-通道增強型單一 MOSFET，下列敘述何者錯誤？ |
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A |
汲極為 n 型半導體 |
B |
源極為 n 型半導體 |
C |
本體（body）為 n 型半導體 |
D |
通道傳導的載子為電子 |
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如圖為雙極性差動式放大器含射極電阻RE，已知電晶體Q1和Q2的基極內電阻rπ、射極內電阻re、轉導gm，共基極電流增益α和共射極電流增益β(β>>1)等參數均相同，試求差動增益Ad=vod/vid 之值？ |
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A |
RC/(2re+2RE) |
B |
RC/(re+RE) |
C |
RC/(2rπ+2RE) |
D |
RC/(rπ+RE) |
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在金氧半場效電晶體（MOSFET）中，已知轉導gm、爾利電壓（Early voltage）VA、汲極電流ID和輸出阻抗ro等的參數，下列關係何者正確？ |
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A |
VA=IDro |
B |
ID=gmro |
C |
gm=ID/VA |
D |
ro=1/gm |
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厚度為 1 密爾（mil）之矽晶片，若均勻摻以濃度為1016cm-3的磷原子，及濃度為2×1015cm-3的硼原子，則其片電阻（sheet resistance）約為何？（設電子移動率為 1300 cm2/Vs，1密爾=25.4 μm） |
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A |
1040 Ω/□ |
B |
640 Ω/□ |
C |
240 Ω/□ |
D |
40 Ω/□ |
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在二極體的反向偏壓電流（reverse bias current）中，流入空乏區（depletion region）之載子主要來自下列那一種組合？ |
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A |
n 型區的電子與 p 型區的電洞 |
B |
n 型區的電洞與 p 型區的電子 |
C |
p 型區的電子與 n 型區的電子 |
D |
p 型區的電洞與 n 型區的電洞 |
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有一共源極放大器（common source amplifier），其增益為A=-20，且Cgs=50 fF，Cgd=10 fF，則其輸入電容（input capacitance）應為多少 fF？ |
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A |
1030 |
B |
520 |
C |
260 |
D |
110 |
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如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓VD0=0.7 V，已知電阻RL=1kΩ。對於電路輸出與輸入電壓之間的轉移特性，下列曲線何者正確？ |
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A |
B |
C |
D |
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一增益為 100 的閉迴路放大器，在 25℃調整成零電壓輸入下具有零輸出電壓，當此放大器的輸入偏移電壓漂移為 6 μV/℃，求在 30℃時零電壓輸入下的輸出電壓值約為何？ |
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A |
1 mV |
B |
3 mV |
C |
13 mV |
D |
30 mV |
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