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有一均勻橫向平面電磁波在一無窮大的介質內傳播,其電場強度為,傳播介質的導磁係數為μ0,介質常數為 ϵr,時間單位為秒,長度單位為 m,試問: |
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假如一半導體均勻照光時有一均勻之載子產生速率 G,在穩態下,求半導體電導(σ)之改變量 Δσ。 |
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對一純矽塊樣本,由一邊摻雜施體(donor),其濃度分布為 ND = Noexp(-ax),ND >> ni,在平衡狀態下,推演內建電場 E(x)。若 a = 1 μm-1,計算內建電場 E(x)。(ni為矽之本質濃度)。 |
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一操作在主動區之正負正雙載子電晶體(p+-n-p bipolar transistor),畫出射極(emitter)、基極(base)、汲極(collector)區之少數載子分布圖。 |
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有兩個金氧半(MOS)元件除氧化層厚度不同外特性相同,高頻電容-電壓量測產生之電容最大值與最小值之比值為 4 與 2,根據這些數據,計算氧化層厚度比。矽介電常數εs為 11.9εo,氧化層介電常數 εox為 3.9εo,真空之介電常數為εo。 |
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作答並解釋: |