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(一)請寫出下圖(a)立方晶系之 A、B、C Miller indices 方向。 |
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請畫出如何利用霍爾效應量測載子濃度之架構圖,並以 n 型半導體為例說明如何量測載子濃度。 |
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請畫出矽和砷化鎵之電子漂移(drift)速度與電場之關係圖,並說明其不同之處與原因。 |
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以 n 型通道元件為例,請畫出金氧半場效電晶體增強型模式結構與空乏型模式結構,並分別解釋如何運作。 |
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請說明兩種在 n 型基板上可製作得到 pn 二極體接面之方法,並比較其不同。 |
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在半導體製程中常須將元件製作在 SOI(Silicon on insulator),請說明 SOI 如何製作而得。 |
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請寫出發光二極體之理想 I-V 關係式?此理想關係式會受哪些影響與需進行何種修正? |
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(一)請說明什麼是「外質半導體(extrinsic semiconductor)」? |
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請說明「質量作用定律(mass action law)」之物理意義。 |
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(一)漂移(drift)及擴散(diffusion)為半導體中載子傳輸之主要方式,請分別說明其物理機制。 |