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(1)
題型:
#106年,#高等考試三級,#電力工程 ,#電子工程 ,#電信工程 ,#電子學,
圖三中電晶體偏壓於飽和區,小訊號參數 g
m
= 2.4 mA/V,r
o
= 10 kΩ,寄生電容C
gs
= 5/π pF 與 C
gd
= 0.35/πpF。取 R
sig
= 0.4 kΩ,R
L
= 20 kΩ,C
L
= 0.5/πpF。低頻時其輸入電阻 R
in
與輸出電阻 R
o
公式如圖所示。以開路時間常數法估算此放大器增益A
v
= v
o
/v
sig
之高頻 3-dB 頻率,以 Hz 表示,忽略電晶體之 body effect。
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