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(一)請說明薄膜電晶體（TFT）的元件結構。 |
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(一)請繪出使用 p 型井（p-well）CMOS（complementary MOS）反相器的橫截面圖。 |
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金屬（功函數 φm）與 n 型半導體（摻雜濃度 ND、功函數 φS、電子親和力χS）結合形成金屬-半導體接面（φm > φS）。半導體具有導帶底部能量EC、價帶頂部能量 EV、費米能量 EF，其空乏區寬度為 W。 |
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(一)熱分解反應常用來製作複晶矽，請寫出其化學反應式。 |
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如圖一所示，有一位於 x-y 平面之半圓線電荷分布，其線電荷密度為ρl。試求在 z-軸上任意點（0, 0, z）之下列物理量： |
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試求出下列結構之互電感（mutual inductance）： |
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如圖三所示，有一介電物質其形狀是由部分圓柱幾何曲線（粗線部分）所定義出的，其介電係數為ε 。根據下列情況，試求其物理量： |
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如圖四所示之一矩形波導管，其內部之電磁場（電場 E 及磁場 H）如下列式子所給定： |
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一右手圓形極化平面波可用下列相量（phasor）來表示， |
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下列何者並非社會國原則中社會安全之內容？ |
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