| #111鐵路特考,#佐級,#佐級電子工程,#電子學大意, | |||
如圖所示為一放大器小訊號模型，其輸出電壓vo為何？ |
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A |
-(gmvi)×(ro//RL) |
B |
-(gmvi)×(ro+RL) |
C |
(gmvi)×(ro//RL) |
D |
(gmvi)×(ro+RL) |
| #111鐵路特考,#佐級,#佐級電子工程,#電子學大意, | |||
若一個兩級的 BJT 放大器需要有高輸入阻抗及低輸出阻抗，其先後組合下列何者為佳？ |
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A |
共基極放大器＋共射極放大器 |
B |
共射極放大器＋共集極放大器 |
C |
共射極放大器＋共基極放大器 |
D |
共基極放大器＋共集極放大器 |
| #111鐵路特考,#佐級,#佐級電子工程,#電子學大意, | |||
如圖所示之共源極放大器之增益為何？（假設電晶體之轉導為gm，輸出電阻為ro，電流源之輸出電阻為 Ro。） |
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A |
-gm(Ro+ro) |
B |
-gmro |
C |
-gmRo |
D |
-gm(Ro//ro) |
| #111鐵路特考,#佐級,#佐級電子工程,#電子學大意, | |||
如圖所示之 PNP 雙極性電晶體（BJT），下列何者為其輸出特性曲線圖？ |
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A |
B |
C |
D |
| #111鐵路特考,#佐級,#佐級電子工程,#電子學大意, | |||
如圖所示之 FET 之自給偏壓式電路，若汲極靜態電流為 0.2 mA，則閘源極偏壓VGS 為多少？ |
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A |
-5 V |
B |
5 V |
C |
-6 V |
D |
6 V |
| #111鐵路特考,#佐級,#佐級電子工程,#電子學大意, | |||
圖示的電晶體放大電路，求輸出vo不失真之最大振幅約為多少？ |
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A |
1 V |
B |
2 V |
C |
2.8 V |
D |
3.8 V |
| #111鐵路特考,#佐級,#佐級電子工程,#電子學大意, | |||
圖示電晶體放大器之固定偏壓電路中，VECQ=2 V。若要將VECQ改成 6 V，電晶體之β值應改為多少？（電晶體其他特性參數不變。） |
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A |
150 |
B |
100 |
C |
40 |
D |
25 |
| #111鐵路特考,#佐級,#佐級電子工程,#電子學大意, | |||
圖示之空乏型金氧半場效電晶體（MOSFET）的特性參數包括：夾止電壓VP=-4 V、於VGS=0 V 的夾止飽和電流IDSS=16 mA ，該 MOSFET 的輸出直流偏壓VDSQ 等於多少？ |
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A |
2 V |
B |
3 V |
C |
4 V |
D |
5 V |
| #111鐵路特考,#佐級,#佐級電子工程,#電子學大意, | |||
分析如圖之電路，若雙極性接面電晶體（BJT）操作在順向主動區（forward active region）且轉導值gm為10 mA/V，電晶體之β=10，RS=10kΩ，RE=10kΩ。忽略元件之輸出阻抗ro，求vo/vi=？ |
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A |
10/11 |
B |
20/11 |
C |
10 |
D |
100 |
| #111鐵路特考,#佐級,#佐級電子工程,#電子學大意, | |||
如圖所示之電路，若電晶體操作在飽和區（saturation region），下列何種調整方式可使電晶體進入主動區（active region）？ |
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A |
提高Vb |
B |
提高VCC |
C |
提高 R |
D |
選用逆向飽和電流（Is）較大之 BJT 電晶體 |
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