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(一)試指出乾式蝕刻技術(dry etching)為等向性(isotropic)蝕刻或非等向性(anisotropic)蝕刻? |
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請說明四點探針量測半導體特性之架構並說明為何做此安排。 |
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在化學氣相沉積(CVD)方法中反應溫度與成長速率有那兩種關係反應出其成長機制?請解釋此兩種之意義?又那一種為 CVD 成長較希望控制之成長機制,為什麼? |
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某 一 直 接 能 隙 ( 1.42 eV ) 之 化 合 物 半 導 體 平 衡 時 之 載 子 濃 度nn0=1016/cm3,照光時每 μsec 產生電子電洞對 1013/cm3,如果少數載子生命週期是 2 nsec,請計算 quasi-Fermi level,並畫出照光前後能隙Fermi level 之變化。此材料之本質濃度為 ni = 2.25×106/cm3。 |
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請畫出 pn 同質接面之發光二極體(LED)平衡時與順向偏壓之能帶圖,請說明發光區域主要在 LED 之何處並說明原因。 |
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請畫出 PMOS 場效電晶體結構,並說明如何將此場效電晶體開啟(turn on)與關閉(turn off)。 |
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為什麼在矽局部氧化形成時,氧化薄膜會向矽基板內生長?請計算其比例(以未成長時之表面當參考位置)。 |
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假設線性轉換 T:R3→R2,已知 |
A |
5 |
B |
7 |
C |
9 |
D |
11 |
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下列何者為 |
A |
ax3+bx3ln(x),x>0 |
B |
ae3x+bxe3x,x>0 |
C |
D |
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已知函數 f(t)的傅立葉轉換(Fourier transform)存在,且其傅立葉轉換標記為,下列何者恆真? |
A |
B |
f(t)=4的傅立葉轉換為ej4ωF(ω) |
C |
ej4tf(t)的傅立葉轉換為 F(ω+4) |
D |
e3tf(t) 的傅立葉轉換為 F(ω-3) |